2SB1188T100Q PNP -32V 2A SOT-89 bipolaarinen liitostransistori, ROHM Semiconductor

Lyhyesti transistori on kolmeliitoksinen puolijohdekomponentti, joka voi toimia kytkimenä, vahvistimena tai muistin elementtinä.

Transistorin tekniset tiedot:

• Transistorin tyyppi:
  • Bipolaarinen transistori (Bipolar junction transistor, BJT)
• Asennustapa:
  • pintaliitosteknologia (Surface mount technology (SMT)) / Pintaliitoslaite (Surface mount device (SMD))
• Transistorin kotelointi:
  • SOT-89
  • SC-62
  • MTP3
• Koteloinnin merkintä:
  • BC
  • QF
• Transistorin napaisuus:
  • PNP
• Max kollektori-kanta jännite (V_CBO):
  • -40V
• Max kollektori-emitteri jännite (V_CEO):
  • -32V
• Max emitteri-kanta jännite (V_EBO):
  • -5V
• Max kollektorivirta (I_C):
  • -2A
• Max kollektorin tehohäviö (P_cd):
  • 0.5W
  • 2W asennettuna 40x40x0.7mm keraamiselle levylle
• Max puolijohderajapinnan lämpötila (T_j):
  • 150°C
• Varastointilämpötila-alue (T_stg):
  • -55...150°C
• Kollektori-kanta läpilyöntijännite (B_VCBO):
  • Min -40V
• Kollektori-emitteri läpilyöntijännite (B_VCEO):
  • Min -32V
• Emitteri-kanta läpilyöntijännite (B_VEBO):
  • Min -5V
• Kollektorin katkaisuvirta (I_CBO)
  • Max -1µA
• Emitterin katkaisuvirta (I_EBO)
  • Max -1µA
• Kollektori-emitterin saturaatiojännite (V_CE(sat)):
  • -0.5V
  • Max -0.8V
• DC virtavahvistuskerroin (h_FE):
  • 120...390
• Siirtymätaajuus (f_r):
  • 100MHz
• Ulostulon kapasitanssi (C_ob):
  • 50pF

Lataa 2SB1182, 2SB1188 ja 2SB1240 ROHM Semiconductor:n keskitehoisen transistorin tekninen datalehti